Hỏi đáp về Dòng điện trong chất bán dẫn - Vật lý 11

A. lỗ trống.                          

B. êlectron.                          

C. ion dương.                      

D. ion âm.

A. Một lớp bán dẫn loại p kẹp giữa hai lớp bán dẫn loại n là tranzito n-p-n.

B. Một lớp bán dẫn loại n mỏng kẹp giữa hai lớp bán dẫn loại p không thể xem là tranzito.

C. Một lớp bán dẫn loại p mỏng kẹp giữa hai lớp bán dẫn loại n luôn có khả năng khuếch đại.

D. Trong tranzito n-p-n, bao giờ mật độ hạt tải điện miền êmitơ cũng cao hơn miền bazơ.

A. Nó không phải là kim loại, cũng không phải là điện môi.

B. Hạt tải điện trong đó có thể là êlectron và lỗ trống.

C. Điện trở suất của nó rất nhạy cảm với nhiệt độ, tạp chất, và các tác nhân ion hoá khác.

D. Cả ba lí do trên.

Biết germani pha tạp với tỉ lệ 10^-6 % và 10^-3 % 

Như ta đã biết, ở những nhiệt độ gần độ không tuyệt đối, một số kim loại chuyển sang trạng thái siêu dẫn. Có thể dùng cách hạ nhiệt độ để có được gecmani và silic siêu dẫn không?

Cần lắm mn ơi, giúp em bài này với !!!

Một điốt bán dẫn có lớp tiếp xúc p−n  dày 10⁻⁴cm . Khi không có điện trường ngoài. Giữa hai mặt của lớp tiếp xúc, người ta đo được hiệu điện thế 0,4V 
a)  Giải thích hiện tượng.
b)  Tính độ lớn của cường độ điện trường tạo ra bên trong lớp tiếp xúc này

Giúp mình vs nhé !!!

Hãy viết công thức điện dẫn suất của bán dẫn riêng Silic (Si) . Cho biết e là độ lớn điện tích của êlectron và lỗ trống, n,μ_n  là mật độ và độ linh động của êlectron, p,μ_p  là mật độ và độ linh động của lỗ trống.

Hướng dẫn em bài này vs ạ: 

Ở nhiệt độ phòng, bán dẫn gemani (Ge)  có mật độ hạt tải điện  \({n_i} = 2,{4.10^{19}}{m^{ - 3}}\). Độ linh động của êlectron là \({\mu _n} = 0,38{m^2}/Vs\) là của lỗ trống là \({\mu _p} = 0,18{m^2}/Vs\). Độ lớn điện tích của êlectron và của lỗ trống là \(e = 1,{6.10^{ - 19}}C\). Tính điện dẫn suất σ và điện trở suất ρ của bán dẫn này

Ai đó giúp em câu này với điii

khó kinh khủng khiếp mn ơi, hướng dẫn ra chi tiết giúp em vs ạ, em ko biết đường nào mà lần cả

Ở nhiệt độ phòng, bán dẫn gemani (Ge) có mật độ hạt tải điện  \({n_i} = 2,{4.10^{19}}{m^{ - 3}}\). Độ linh động của êlectron và của lỗ trống bằng  \({\mu _n} = 0,38{m^2}/Vs,{\mu _p} = 0,18{m^2}/Vs\). Điện tích của êlectron và lỗ trống có độ lớn  \(e = 1,{6.10^{ - 19}}C\)
a) Tính mật độ êlectron n_n và mật độ lỗ trống p_p  trong bán dẫn gemani pha tạp chất bo (B) với mật độ  \({n_a} = 1,{6.10^{20}}{m^{ - 3}}.\). Cho biết gemani có 4 êlectron hoá trị, bo có 3 êlectron hoá trị và mỗi nguyên tử bo cho 1 hạt tải điện (lỗ trống)
b) Tính điện dẫn suất σ  và điện trở suất ρ của bán dẫn tạp chất gemani pha tạp chất bo.